[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法

摘要

本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型，提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路参数；根据所述大信号等效电路参数，利用响应曲线法建立大信号统计模型。该建模方法能够减少数据量，避免出现异常值而遇到不收敛的问题，使通过该建模方法获得的统计模型能够准确反映不同器件的工艺变化情况，使晶体管的生产质量稳定、均衡。

主权项

1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，其特征在于，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型，提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路参数；根据所述大信号等效电路参数，利用响应曲线法建立大信号统计模型；所述利用响应曲线法建立大信号统计模型的方法包括：选取所述大信号等效电路参数中若干个敏感参数，定义所述敏感参数中最大的敏感参数为X_H，最小的敏感参数为X_L，其他所述敏感参数为中间敏感参数X，所述中间敏感参数X的计算公式为：X＝b×C+a，其中，a＝(X_H+X_L)/2，b＝(X_H‑X_L)/2，变量C的变化范围为‑1～1；选取每个所述敏感参数的值的大小变化为‑10％、0和10％的三种状态，将若干个所述敏感参数的所述三种状态进行组合，得到N组模拟参数；将所述模拟参数代入ADS软件中仿真，获得大信号统计模型。