[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法

权利要求书

1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，其特征在于，包括：

测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流-电压特性；

将所述电流-电压特性用于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型，提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路参数；

根据所述大信号等效电路参数，利用响应曲线法建立大信号统计模型；

所述利用响应曲线法建立大信号统计模型的方法包括：

选取所述大信号等效电路参数中若干个敏感参数，定义所述敏感参数中最大的敏感参数为X_H，最小的敏感参数为X_L，其他所述敏感参数为中间敏感参数X，所述中间敏感参数X的计算公式为：X＝b×C+a，其中，a＝(X_H+X_L)/2，b＝(X_H-X_L)/2，变量C的变化范围为-1～1；

选取每个所述敏感参数的值的大小变化为-10％、0和10％的三种状态，将若干个所述敏感参数的所述三种状态进行组合，得到N组模拟参数；

将所述模拟参数代入ADS软件中仿真，获得大信号统计模型。

2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流-电压特性包括：

利用探针台测试设备，设置偏置电压，获得与所述偏置电压对应的漏源电流；

所述电流-电压特性是指所述偏置电压的设置数值与所述漏源电流数值的对应关系。

3.根据权利要求2所述的建模方法，其特征在于，所述偏置电压包括栅极电压Vgs和漏极电压Vds，所述栅极电压Vgs的取值为从夹断电压到0V，所述漏极电压Vds的取值为从0V到1/2击穿电压。

4.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述提取大信号等效电路参数的方法包括：

利用所述大信号等效电路模型，采用最小二乘法，通过matlab来拟合所述电流-电压特性的曲线，获得从所述大信号等效电路模型中提取的所述大信号等效电路参数。

5.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述利用响应曲线法建立大信号统计模型后，还包括：验证所述大信号统计模型的准确性。

6.根据权利要求5所述的建模方法，其特征在于，所述验证所述大信号统计模型的准确性的方法包括：

获取所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号特性；

选取所述大信号等效电路参数的若干个敏感参数代入所述大信号统计模型，得到大信号仿真结果；

比较所述大信号仿真结果与所述大信号特性。

7.根据权利要求6所述的建模方法，其特征在于，所述大信号仿真结果包括仿真输出功率、仿真功率附加效率、仿真增益。

8.根据权利要求1-7任一项所述的建模方法，其特征在于，所述大信号特性包括输出功率Pout、功率附加效率PAE、增益Gain。