[发明专利]一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法有效
| 申请号： | 201710120217.X | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106990161B | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 杨萍;董鹏;宋宇;张光辉;李沫;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01N27/64 | 分类号： | G01N27/64 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法，该系统包括一次离子源、惰性元素离子源、坑深测量仪、二次离子质谱仪、离子信号检测仪等部分。使用脉冲工作模式的惰性元素离子束刻蚀去除多层结构的已测试层，既避免刻蚀坑边缘材料被溅射到坑中心而对坑内待测二次离子信号形成干扰，提高了深度剖析的分辨率，同时也减小了坑深深度，有效抑制了溅射坑底的表面粗糙度。本发明的系统和方法对实际分析测试具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多层 结构 二次 离子 深度 分辨率 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统，其特征在于：至少包括两个离子源，用于产生不同的离子束并轰击到样品上；坑深测量仪，用于测量样品的溅射坑的深度和形状，并将测量数据反馈给惰性元素离子源，以确定刻蚀时间和区域；二次离子质谱仪，用于对不同荷质比的二次离子进行方向和能量的聚焦；离子信号检测仪，用于接收待测二次离子束；所述两个离子源，其中一个是一次离子源，另一个离子源是惰性元素离子源；所述样品是多层样品。
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