[发明专利]一种内外双微环谐振器结构在审

专利信息
申请号: 201710119536.9 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN106950646A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 冯松;薛斌;李连碧;雷倩倩;杨延飞;宋立勋;翟学军;朱长军 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/122
代理公司: 西安弘理专利事务所61214 代理人: 杨璐
地址: 710048 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的一种内外双微环谐振器结构,包括有N‑Sub型衬底,N‑Sub型衬底的顶部设置有SiO2埋层,SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导和下侧直波导,SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导和内环形波导。本发明一种内外双微环谐振器结构具有谐振峰平坦和自由光谱范围大的优点,在不增加芯片面积和工艺成本的情况下,改善了微环谐振器的谐振特性,便于微环谐振器结构向高速、低功耗的方向发展。
搜索关键词: 一种 内外 双微环 谐振器 结构
【主权项】:
一种内外双微环谐振器结构,其特征在于,包括N‑Sub型衬底(1),所述N‑Sub型衬底(1)的顶部设置有SiO2埋层(2),在所述SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导(3)和下侧直波导(4),在所述SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导(5)和内环形波导(6)。
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