[发明专利]一种内外双微环谐振器结构

权利要求书

1.一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，包括N-Sub型衬底(1)，所述N-Sub型衬底(1)的顶部设置有SiO₂埋层(2)，在所述SiO₂埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导(3)和下侧直波导(4)，在所述SiO₂埋层顶部的中间分别设置有外环形波导(5)和内环形波导(6)。

2.根据权利要求1所述的一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，所述N-Sub型衬底(1)的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述掺杂剂为P离子；

所述N-Sub型衬底(1)的高度为100μm～300μm，宽度为2.1μm～2.6μm。

3.根据权利要求1所述的一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，所述SiO₂埋层(2)的高度为1μm～2μm，宽度为2.1μm～2.6μm。

4.根据权利要求1所述的一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，所述上侧直波导(3)的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，掺杂剂为P离子；

所述上侧直波导(3)的高度为180nm～220nm，宽度为400nm～600nm。

5.根据权利要求1所述的一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，所述下侧直波导(4)的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述掺杂剂为P离子；

所述下侧直波导(4)的高度为180nm～220nm，宽度为400nm～600nm。

6.根据权利要求1所述的一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，所述外环形波导(5)的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述掺杂剂为P离子；

所述外环形波导(5)的高度为180nm～220nm，宽度为400nm～600nm，半径为3μm～10μm。

7.根据权利要求1所述的一种内外双微环谐振器结构，其特征在于，所述内环形波导(6)的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述掺杂剂为P离子；

所述内环形波导(6)的高度为180nm～220nm，宽度为400nm～600nm，半径为2.8μm～9.5μm。