[发明专利]卡盘装置以及半导体加工设备有效
申请号: | 201710117073.2 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN108538744B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 李一成;彭宇霖;曹永友 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的卡盘装置以及半导体加工设备,其包括基座、基环、聚焦环和热边缘环,基座包括用于承载晶片的承载面;基环环绕设置在基座的侧壁上;聚集环设置在基环上;热边缘环设置在基环与基座之间,且靠近承载面的边缘处;并且,热边缘环包括金属本体,以及包覆所述金属本体的外表面的绝缘层。本发明提供的卡盘装置,其可以在改善在晶圆边缘区域的温度分布不均匀和电场陡峭的前提下,减少晶片的金属污染和颗粒污染。 | ||
搜索关键词: | 卡盘 装置 以及 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种卡盘装置,包括基座、基环和聚焦环,所述基座包括用于承载晶片的承载面;所述基环环绕设置在所述基座的侧壁上;所述聚集环设置在所述基环上;其特征在于,还包括热边缘环,所述热边缘环设置在所述基环与所述基座之间,且靠近所述承载面的边缘处;并且,所述热边缘环包括金属本体,以及包覆所述金属本体的外表面的绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710117073.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造