[发明专利]卡盘装置以及半导体加工设备

权利要求书

1.一种卡盘装置，包括基座、基环和聚焦环，所述基座包括用于承载晶片的承载面；所述基环环绕设置在所述基座的侧壁上；所述聚焦环设置在所述基环上；其特征在于，还包括热边缘环，所述热边缘环设置在所述基环与所述基座之间，且靠近所述承载面的边缘处；并且，所述热边缘环包括金属本体，以及包覆所述金属本体的外表面的绝缘层；所述热边缘环的内周面与所述基座的侧壁间隔设置。

2.根据权利要求1所述的卡盘装置，其特征在于，所述绝缘层包括氧化层；或者，

所述绝缘层包括陶瓷涂层；或者，

所述绝缘层包括氧化层和陶瓷涂层，二者由内而外依次设置。

3.根据权利要求2所述的卡盘装置，其特征在于，所述氧化层采用阳极氧化处理的方式制成。

4.根据权利要求3所述的卡盘装置，其特征在于，所述阳极氧化处理使用的电解质溶液包括硫酸、草酸、铬酸、磷酸、硼酸或者混合酸。

5.根据权利要求2所述的卡盘装置，其特征在于，所述氧化层的厚度的取值范围在50～60μm。

6.根据权利要求2所述的卡盘装置，其特征在于，所述氧化层的维氏显微硬度大于等于300。

7.根据权利要求2所述的卡盘装置，其特征在于，所述陶瓷涂层采用喷涂陶瓷颗粒的方式制成。

8.根据权利要求7所述的卡盘装置，其特征在于，所述陶瓷颗粒包括氧化钇、氧化锆、碳化硅或者碳化硼。

9.根据权利要求2所述的卡盘装置，其特征在于，所述陶瓷涂层的厚度的取值范围在180～250μm。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有卡盘装置，用于承载晶片，其特征在于，所述卡盘装置采用权利要求1-9任意一项所述的卡盘装置。