[发明专利]一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710110164.3 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784743A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 慈立杰;翟伟;邵学智 | 申请（专利权）人： | 山东泰纳新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人： | 李树祥 |
| 地址： | 261041 山东省潍坊市奎文*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低膨胀率多孔硅/石墨复合负极材料及其制备方法，通过去合金化的工艺实现了多孔硅的制备，实现了纳米硅的廉价制备，通过碳包覆实现了多孔硅的导电性以及稳定性的提高，通过与石墨负极材料按照一定比例均匀混合，实现了多孔硅/石墨低膨胀硅碳负极材料的制备以及设计。该种材料具有以下优点多孔硅中的空间为硅的膨胀提供了足够的空间，从而实现了硅碳负极整体的低膨胀，保证了电极的低膨胀以及电池的安全性；通过对硅的碳包覆，碳包括石墨烯，无定型裂解碳等，实现了多孔硅的导电性以及稳定性的提高；去合金化廉价的方法，保证了硅的廉价性以及整个复合负极的廉价性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膨胀率 多孔 石墨 复合 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、商业化的合金硅球制备；（2）、将合金硅球进行去合金化；（3）、将去合金化后的多孔硅球进行碳包覆后或直接与商业化石墨负极按比例均匀混合，得到低膨胀率的石墨/多孔硅复合负极材料。
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