[发明专利]一种改性碳化硅氮化硼电子封装材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种改性碳化硅氮化硼电子封装材料的制备方法，本发明在封装材料中添加的改性碳化硅复杂形状，且具有热导率高、膨胀系数低、比刚度大、密度小等特点，使得封装材料在固化后的内应力变化值范围较小，机械性能和耐冲击性能优良；所述制备方法还在所述电子封装材料中掺杂氮化硼纳米片，使得封装材料具有良好的分散性、相容性和耐热性。

主权项

一种改性碳化硅氮化硼电子封装材料的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）制备改性碳化硅称取200‑300重量份花生壳，用去离子水洗涤3‑5次，置于115‑120℃干燥箱中干燥至恒重后，加入500‑530℃真空管式炉中，在氮气氛围下碳化2‑3h，冷却至室温，取出，将其与3‑5重量份钛酸酯类偶联剂，1‑2重量份氟化钾混合均匀，置入真空管式炉中，炉内抽至真空度为5‑10Pa后，以150‑200mL/min通入氩气，并以15℃/min升温至1150‑1300℃，再以5℃/min升温至1500‑1550℃，保持温度反应4‑6h后，自然冷却至室温，通入空气，在750‑800℃下灼烧3‑5h，冷却至室温，得碳化硅晶须；称取60‑80重量份上述碳化硅晶须，加入150‑200重量份丙酮中，并用300W超声波超声除油20‑30min，过滤，将滤渣浸泡在质量分数为25%氢氟酸溶液中8‑10h，过滤，用去离子水洗涤滤渣至洗涤液pH呈中性，转入115‑120℃真空干燥箱中干燥至恒重，得到改性碳化硅；（2）制备氮化硼纳米片将氮化硼粉末加入到DMF溶液中混合均勻，然后在 离心机中离心，去掉底部未剥离的氮化硼粉末，收集上层的混合溶液，然后去除溶剂，在真空烘箱中进行干燥，获得氮化硼纳米片；（3）按照如下重量份配料:上述改性碳化硅          10‑15份乙烯基含氢硅树脂        3‑5份上述氮化硼纳米片        3‑6份甲基纳迪克酸酐          1‑1.5份脂肪族环氧树脂          18‑20份钛酸酯类偶联剂          0.5‑1份含氢硅油交联剂          1‑3份；（4）按上述组分按比例混合均匀，加热搅拌至混合均匀，将混合物在真空脱泡机中进行脱泡，脱泡时间为5‑7h；将所述脱泡后的混合物加入到双螺杆挤出机的料斗中，螺杆转速设定为600‑800r/min，经过熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，进行低温加压干燥，用注塑机注塑成型，制备得到改性碳化硅氮化硼电子封装材料。