[发明专利]一种改性碳化硅氮化硼电子封装材料的制备方法

权利要求书

1.一种改性碳化硅氮化硼电子封装材料的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）制备改性碳化硅

称取200-300重量份花生壳，用去离子水洗涤3-5次，置于115-120℃干燥箱中干燥至恒重后，加入500-530℃真空管式炉中，在氮气氛围下碳化2-3h，冷却至室温，取出，将其与3-5重量份钛酸酯类偶联剂，1-2重量份氟化钾混合均匀，置入真空管式炉中，炉内抽至真空度为5-10Pa后，以150-200mL/min通入氩气，并以15℃/min升温至1150-1300℃，再以5℃/min升温至1500-1550℃，保持温度反应4-6h后，自然冷却至室温，通入空气，在750-800℃下灼烧3-5h，冷却至室温，得碳化硅晶须；

称取60-80重量份上述碳化硅晶须，加入150-200重量份丙酮中，并用300W超声波超声除油20-30min，过滤，将滤渣浸泡在质量分数为25%氢氟酸溶液中8-10h，过滤，用去离子水洗涤滤渣至洗涤液pH呈中性，转入115-120℃真空干燥箱中干燥至恒重，得到改性碳化硅；

（2）制备氮化硼纳米片

将氮化硼粉末加入到DMF溶液中混合均勻，然后在 离心机中离心，去掉底部未剥离的氮化硼粉末，收集上层的混合溶液，然后去除溶剂，在真空烘箱中进行干燥，获得氮化硼纳米片；

（3）按照如下重量份配料:

上述改性碳化硅10-15份

乙烯基含氢硅树脂3-5份

上述氮化硼纳米片3-6份

甲基纳迪克酸酐1-1.5份

脂肪族环氧树脂18-20份

钛酸酯类偶联剂0.5-1份

含氢硅油交联剂1-3份；

（4）按上述组分按比例混合均匀，加热搅拌至混合均匀，将混合物在真空脱泡机中进行脱泡，脱泡时间为5-7h；

将所述脱泡后的混合物加入到双螺杆挤出机的料斗中，螺杆转速设定为600-800r/min，经过熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，进行低温加压干燥，用注塑机注塑成型，制备得到改性碳化硅氮化硼电子封装材料。