[发明专利]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。

主权项

一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(40)、第二导电类型埋层(50)、栅介质层(60)、栅电极层(70)、肖特基势垒接触区(80)和上电极层(90)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(40)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述第二导电类型埋层(50)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(30)内部；所述栅介质层(60)嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面,所述栅介质层(60)呈U型结构；所述栅电极层(70)覆盖于栅介质层(60)的U型内部；所述肖特基势垒接触区(80)覆盖于第二导电类型体区(40)之上；所述上电极层(90)覆盖于栅介质层(60)、栅电极层(70)和肖特基势垒接触区(80)之上。