[发明专利]一种电子束熔炼提纯单晶锅底料的方法

摘要

一种电子束熔炼提纯单晶锅底料的方法，包括在料仓、熔炼坩埚、送料小车、五个凝固坩埚中均装入单晶锅底料；装料完毕后，电子束炉抽真空，当真空度小于0.5Pa时开始预热3把电子枪；3把电子枪功率继续保持250kW熔化并熔炼硅料；将照射熔炼坩埚的2把电子枪关闭，硅液倾倒，倾倒完成后，将另1把照射凝固坩埚的电子枪功率保持250kW；最终电子枪按照250kW维持10min，200kW维持2min，150kW维持3min，120kW维持5min，100kW维持7min，80kW维持10min，50kW维持15min，30kW维持20min，20kW维持25min，0kW降束凝固。本发明有效去除其中的金属杂质，去除率达98％以上，有效提高利用其生产出的多晶硅铸锭的少子寿命，且方法条件温和易于操作。

主权项

一种电子束熔炼提纯单晶锅底料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：A.装料：在料仓、熔炼坩埚、送料小车、五个凝固坩埚中均装入单晶锅底料，单晶锅底料中硅料纯度在4.5N以上，P含量小于4ppmw，金属总含量小于50ppmw，Fe含量小于20ppmw，Al含量小于10ppmw，Ca含量小于5ppmw，其他金属含量分别小于1ppmw；B.预热电子枪：装料完毕后，电子束炉抽真空，当真空度小于0.5Pa时开始预热3把电子枪，其中2把电子枪照射熔炼坩埚，另1把电子枪照射凝固坩埚，预热20‑40min，预热完成后进入硅料熔化阶段；C.硅料熔化：根据观察窗中观察到的熔化状况及熔化过程中真空度的变化情况保证真空小于0.5Pa，逐渐增加3把电子枪功率到250kW，保持功率在250kW使熔炼坩埚内硅料完全熔化；D.硅料熔炼：3把电子枪功率继续保持250kW熔炼硅料10‑30min；E.硅液倾倒：将照射熔炼坩埚的2把电子枪关闭，硅液倾倒，倾倒完成后，将另1把照射凝固坩埚的电子枪功率保持250kW；F.硅料输送：操作时需保证产品铸锭在120‑140kg之间，根据凝固坩埚与熔炼坩埚容量确定是否需要硅料输送，若需硅料输送，则照射凝固坩埚的电子枪仍保持250kW，另外2把照射熔炼坩埚的电子枪再次按照步骤C至步骤E进行硅料熔化、硅料熔炼、硅料倾倒过程；G.降束凝固：照射凝固坩埚的电子枪进行降束凝固。