[发明专利]元件芯片及其制造方法

摘要

一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆解理起点来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：准备基板的工序；激光划片工序，对基板的分割区域照射激光而形成第1及第2损伤区域；各向异性蚀刻工序，将基板暴露于第1等离子体来除去第1损伤区域，并使第2损伤区域的一部分露出。还包括：保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域、分割区域和露出的第2损伤区域的一部分；保护膜蚀刻工序，将基板暴露于第2等离子体来除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖第2损伤区域的一部分的保护膜残留。还包括等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为元件芯片。

主权项

一种元件芯片的制造方法，包括：准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；激光划片工序，对所述分割区域从所述第1主面侧照射激光，从而在所述分割区域形成具备露出所述第1层的露出部的开口，并且在所述露出部形成第1损伤区域，在所述第1损伤区域的附近且所述第1层的被所述第2层覆盖的部分形成第2损伤区域；各向异性蚀刻工序，在所述激光划片工序之后，通过使所述基板暴露于第1等离子体来各向异性地蚀刻所述第1损伤区域，从而除去所述第1损伤区域，并且使所述第2损伤区域的一部分露出；保护膜沉积工序，在所述各向异性蚀刻工序之后，使保护膜沉积在所述元件区域、所述分割区域和露出的所述第2损伤区域的所述一部分；保护膜蚀刻工序，在所述保护膜沉积工序之后，使所述基板暴露于第2等离子体来各向异性地蚀刻所述保护膜，从而除去沉积在所述分割区域的所述保护膜的一部分以及沉积在所述元件区域的所述保护膜，并且使覆盖所述第2损伤区域的所述一部分的所述保护膜残留；和等离子体切割工序，在所述保护膜蚀刻工序之后，在用支承构件支承了所述第2主面的状态下，将所述基板暴露于第3等离子体来各向异性地蚀刻所述分割区域，从而将所述基板分割为具备所述元件区域的多个元件芯片。