[发明专利]氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 201710087055.4 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107104138B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李秀熙;文成龙;金宰慜 | 申请（专利权）人： | 硅显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明一实施例的氧化物半导体晶体管包括：基板、位于基板上的第一栅极、位于基板及第一栅极上的栅极绝缘膜、位于栅极绝缘膜上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层、以及位于氧化物半导体层及蚀刻阻挡层上且彼此隔开的源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体晶体管，包括：基板；位于所述基板上第一栅极；位于所述基板及所述第一栅极上的栅极绝缘膜；位于所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层；位于所述氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层；以及位于所述氧化物半导体层及所述蚀刻阻挡层上且彼此隔开的源极和漏极，所述氧化物半导体层及所述蚀刻阻挡层包括多个岛形图案，所述多个岛形图案沿所述第一栅极的宽度方向形成，且在所述第一栅极的宽度方向上沿垂直方向彼此隔开。
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