[发明专利]氧化物半导体晶体管

权利要求书

1.一种氧化物半导体晶体管，包括：

基板；

位于所述基板上的第一栅极；

位于所述基板及所述第一栅极上的栅极绝缘膜；

位于所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层；

位于所述氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层；以及

位于所述氧化物半导体层及所述蚀刻阻挡层上且彼此隔开的源极和漏极，

所述氧化物半导体层包括多个氧化物半导体岛形图案，所述多个氧化物半导体岛形图案在与所述第一栅极的宽度方向垂直的方向上彼此隔开，并且所述蚀刻阻挡层包括多个蚀刻阻挡岛形图案，所述多个蚀刻阻挡岛形图案在与所述第一栅极的宽度方向垂直的方向上彼此隔开，

其中，所述多个蚀刻阻挡岛形图案中的每个设置在相应的氧化物半导体岛形图案上，使得所述多个氧化物半导体岛形图案中的每个被相应的蚀刻阻挡岛形图案覆盖，

所述源极和漏极与所述氧化物半导体层和所述蚀刻阻挡层的所有多个岛形图案的一部分重叠，

所述多个蚀刻阻挡岛形图案的相邻蚀刻阻挡岛形图案之间的隔开距离为1μm至5μm，并且所述多个蚀刻阻挡岛形图案中所有图案宽度的总和以及所述多个蚀刻阻挡岛形图案的所有相邻蚀刻阻挡岛形图案之间隔开距离的总和的总宽度为100μm至110μm，

所述多个氧化物半导体岛形图案中的每个的宽度为1μm至4μm，并且，所述多个蚀刻阻挡岛形图案中的每个的宽度为1μm至4μm，以及

所述多个氧化物半导体岛形图案的数量为20至50，并且，所述多个蚀刻阻挡岛形图案的数量为20至50。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述蚀刻阻挡层的岛形图案的宽度等于或小于所述氧化物半导体层的岛形图案的宽度。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述多个氧化物半导体岛形图案彼此平行，并且所述多个蚀刻阻挡岛形图案彼此平行。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述蚀刻阻挡层包括SiO₂、Al₂O₃及SiNx中的一种以上物质。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述氧化物半导体层为包括铟镓锌氧化物、锌氧化物、铟锌氧化物、铟锡氧化物、锌锡氧化物、镓锌氧化物、铪铟锌氧化物、锌铟锡氧化物及铝锌锡氧化物中的一种以上物质的非晶或多晶结构。

6.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，还包括：

保护层，所述保护层覆盖所述源极、所述漏极和所述蚀刻阻挡层；以及

第二栅极，所述第二栅极位于所述保护层上。

7.根据权利要求6所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述第一栅极和所述第二栅极通过过孔电连接。

8.根据权利要求6所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述第一栅极和所述第二栅极彼此重叠。

9.根据权利要求6所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述第二栅极的截面的宽度短于所述源极和所述漏极之间的隔开距离。

10.根据权利要求9所述的氧化物半导体晶体管，其中，

所述第二栅极与所述源极之间的隔开距离为0.5μm至5μm，所述第二栅极与所述漏极之间的隔开距离为0.5μm至5μm。