[发明专利]一种微纳米级晶片测试探头及制备方法

摘要

本发明涉及一种微纳米级晶片测试探头及制备方法，其中方法包括：使用主离子源轰击金属靶材在工件的衬底表面上形成金属层，所述金属层包括位于测试区内的测试圆点、位于引线区内的引出焊盘以及两者之间的连接线；使用主离子源轰击绝缘靶材在工件的测试圆点之外的区域上形成绝缘保护膜；使用主离子源轰击金属靶材在工件的测试圆点所在区域上形成测试圆柱；使用辅离子源轰击工件进行抛光打磨，打磨所述测试圆柱的平面圆周边沿倒角形成球面后，制成平面结构的微纳米级晶片测试探头。本发明制备出的探头测试间距为0.5～20μm，既可以检测普通晶片的四周引脚，又可以测试薄膜晶片表面的凸点，满足了微纳米级晶片测试的需求。

主权项

1.一种微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、利用图形化的第一光刻胶层作为掩膜，使用主离子源轰击金属靶材，产生的溅射粒子沉积在工件的衬底表面上形成金属层，所述金属层包括位于测试区内的测试圆点、位于引线区内的引出焊盘以及两者之间的连接线；S2、利用图形化的第二光刻胶层作为掩膜，使用主离子源轰击绝缘靶材，产生的溅射粒子沉积在工件的测试圆点之外的区域上形成绝缘保护膜；S3、利用图形化的第三光刻胶层作为掩膜，使用主离子源轰击金属靶材，产生的溅射粒子沉积在工件的测试圆点所在区域上形成测试圆柱；S4、使用辅离子源轰击工件进行抛光打磨，打磨所述测试圆柱的平面圆周边沿倒角形成球面后，制成平面结构的微纳米级晶片测试探头。