[发明专利]一种微纳米级晶片测试探头及制备方法

权利要求书

1.一种微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、利用图形化的第一光刻胶层作为掩膜，使用主离子源轰击金属靶材，产生的溅射粒子沉积在工件的衬底表面上形成金属层，所述金属层包括位于测试区内的测试圆点、位于引线区内的引出焊盘以及两者之间的连接线；

S2、利用图形化的第二光刻胶层作为掩膜，使用主离子源轰击绝缘靶材，产生的溅射粒子沉积在工件的测试圆点之外的区域上形成绝缘保护膜；

S3、利用图形化的第三光刻胶层作为掩膜，使用主离子源轰击金属靶材，产生的溅射粒子沉积在工件的测试圆点所在区域上形成测试圆柱；

S4、使用辅离子源轰击工件进行抛光打磨，打磨所述测试圆柱的平面圆周边沿倒角形成球面后，制成平面结构的微纳米级晶片测试探头。

2.根据权利要求1所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：

S5、将所述平面结构的微纳米级晶片测试探头折叠形成上方开口的矩形盒子，其中测试区位于所述矩形盒子的底面，引线区位于所述矩形盒子的侧面。

3.根据权利要求2所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，所述平面结构的微纳米级晶片测试探头呈八边形。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中生成的测试圆点的间距为0.5～20μm。

5.根据权利要求4所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，步骤S1中生成金属层的厚度为10nm～20nm，测试圆点的直径为50～100nm，引出焊盘的直径为400～600nm，连接线的宽度为40nm～60nm；所述步骤S3中形成的测试圆柱的高度为50～100nm。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于：

所述衬底由聚酰亚胺制成；和/或

所述金属靶材为金靶材；和/或

所述绝缘靶材为二氧化硅靶材。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法，其特征在于，所述步骤S1～S3中主离子源的离子能量为200～600eV，束流为20～60mA；所述步骤S4中辅离子源的离子能量为100～400eV，束流为10～40mA，工件台沉积角度为45°，工件台转速为15rpm。

8.一种微纳米级晶片测试探头，其特征在于，采用权利要求1-7中任一项所述的微纳米级晶片测试探头的制备方法制得。