[发明专利]具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201710083321.6 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107086249B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·J·诺瓦克;布兰特·A·安德森;安德鲁·史厚利 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法，其一个方面提供一种形成替代栅极结构的方法。该方法可包括：自一组鳍片上方移除伪栅极，以在介电层中形成开口来暴露该组鳍片，该组鳍片中的各鳍片通过介电质与该组鳍片中的相邻鳍片基本隔开；在该组暴露鳍片上方的该开口内形成保护覆盖层；移除该组鳍片中各鳍片的每侧上的该介电质的部分；通过移除该组鳍片中的各鳍片的部分来底切该组鳍片中的各鳍片，以形成设于该保护覆盖层下方的凹口；用氧化物基本填充各凹口；在该组鳍片中的各鳍片上方形成栅极介电质；以及在该栅极介电质上方形成栅极导体，从而形成该替代栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹口 finfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成晶体管的方法，该方法包括：自一组鳍片上方移除伪栅极，以在介电层中形成开口来暴露该组鳍片，该组鳍片中的各鳍片通过介电质与该组鳍片中的相邻鳍片基本隔开；在该组暴露鳍片上方的该开口内形成保护覆盖层；移除该组鳍片中各鳍片的每侧上的该介电质的部分；通过移除该组鳍片中的各鳍片的部分来底切该组鳍片中的各鳍片，以形成设于该保护覆盖层下方的凹口；用绝缘体基本填充各凹口；在该组鳍片中的各鳍片上方形成栅极介电质；以及在该栅极介电质上方形成栅极导体，从而形成该晶体管。
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