[发明专利]具有凹口鳍片的FINFET及其形成方法

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，该方法包括：

自一组鳍片上方移除伪栅极，以在介电层中形成开口来暴露该组鳍片，该组鳍片中的各鳍片通过介电质与该组鳍片中的相邻鳍片隔开；

在该组暴露鳍片上方的该开口内形成保护覆盖层；

移除该组暴露鳍片中各鳍片的每侧上的该介电质的部分；

通过移除该组暴露鳍片中的各鳍片的部分来底切该组暴露鳍片中的各鳍片，以形成设于该保护覆盖层下方的凹口，其中，该凹口不延伸至该组暴露鳍片中的各鳍片的源漏区中；

用绝缘体填充各凹口，其中，所述填充各凹口包括形成该绝缘体，使得该绝缘体的侧壁与该保护覆盖层的侧壁共面；

在该组暴露鳍片中的各鳍片上方形成栅极介电质；以及

在该栅极介电质上方形成栅极导体，从而形成该晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述移除该介电质的该部分包括执行垂直氧化物蚀刻以及执行水平氧化物蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述底切该组暴露鳍片中的各鳍片包括执行水平硅蚀刻。

4.如权利要求3所述的方法，其中，底切该组暴露鳍片中的各鳍片导致各鳍片的部分具有5纳米至10纳米的宽度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述填充该凹口包括共形沉积该绝缘体。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述用该绝缘体填充各凹口以后并在所述形成该栅极介电质之前移除该保护覆盖层。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述移除该伪栅极之前，在衬底上形成鳍式场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括位于该衬底上的该组鳍片以及位于该组鳍片上方的该伪栅极。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该保护覆盖层包括外延生长硅锗。

9.一种形成集成电路结构的方法，该方法包括：

在衬底上形成鳍式场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括位于该衬底上的一组鳍片﹑位于该组鳍片上方的伪栅极以及将该组鳍片中的各鳍片与该组鳍片中的相邻鳍片隔开的介电质；

移除该伪栅极以暴露该组鳍片；

在该组暴露鳍片上方形成保护覆盖层；

移除该组暴露鳍片中各鳍片的每侧上的介电质的部分；

通过移除该组暴露鳍片中的各鳍片的部分来底切该组暴露鳍片中的各鳍片，以形成设于该保护覆盖层下方的凹口，其中，该凹口不延伸至该组暴露鳍片中的各鳍片的源漏区中；

用绝缘体填充各凹口，其中，所述填充各凹口包括形成该绝缘体，使得该绝缘体的侧壁与该保护覆盖层的侧壁共面；

在该组暴露鳍片中的各鳍片上方形成栅极介电质；以及

在该栅极介电质上方形成栅极导体，从而形成该集成电路结构。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述移除该介电质的该部分包括执行垂直氧化物蚀刻以及执行水平氧化物蚀刻。

11.如权利要求9所述的方法，其中，底切该组暴露鳍片中的各鳍片包括执行水平硅蚀刻。

12.如权利要求11所述的方法，其中，底切该组暴露鳍片中的各鳍片导致各鳍片的部分具有5纳米至10纳米的宽度。

13.如权利要求9所述的方法，其中，所述填充各凹口包括共形沉积该绝缘体。

14.如权利要求9所述的方法，还包括：

在所述用该绝缘体填充各凹口以后并在所述形成该栅极介电质之前移除该保护覆盖层。