[发明专利]发射光的半导体器件有效
| 申请号： | 201710080866.1 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107039564B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·普洛斯尔;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·林科夫;帕特里克·罗德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体包括有源区(11)，在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1)；以及第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射，其中第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)相互分开制成，第二半导体本体(2)是电无源的，并且第二半导体本体(2)与辐射出射面(1a)直接接触，并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体(1)上。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种发射光的半导体器件，所述发射光的半导体器件具有：第一半导体本体，所述第一半导体本体包括有源区，在所述发射光的半导体器件工作时，在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面而离开所述第一半导体本体，以及第二半导体本体，所述第二半导体本体适合于将所述电磁辐射转换为经转换的具有更大波长的电磁辐射，其中其中所述第二半导体本体是电无源的，其中所述第二半导体本体与所述辐射出射面直接接触，并且在那里无连接固定在所述第一半导体本体上，其中所述辐射出射面和所述第二半导体本体的朝向所述辐射出射面的外面分别具有最高2nm的均方根粗糙度值，以及其中所述第二半导体本体基于III‑V族化合物半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710080866.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可调节高度的市政道路用限高装置
- 下一篇：一种快速组装式交通安全临时路障
