[发明专利]发射光的半导体器件有效
| 申请号： | 201710080866.1 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107039564B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·普洛斯尔;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·林科夫;帕特里克·罗德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 半导体器件 | ||
1.一种发射光的半导体器件，所述发射光的半导体器件具有：
第一半导体本体，所述第一半导体本体包括有源区，在所述发射光的半导体器件工作时，在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面而离开所述第一半导体本体，以及
第二半导体本体，所述第二半导体本体适合于将所述电磁辐射转换为经转换的具有更大波长的电磁辐射，其中
其中所述第二半导体本体是电无源的，
其中所述第二半导体本体与所述辐射出射面直接接触，并且在那里无连接固定在所述第一半导体本体上，
其中所述辐射出射面和所述第二半导体本体的朝向所述辐射出射面的外面分别具有最高2nm的均方根粗糙度值，以及
其中所述第二半导体本体基于III-V族化合物半导体材料。
2.根据权利要求1所述的发射光的半导体器件，其中所述辐射出射面和所述第二半导体本体的朝向所述辐射出射面的所述外面分别具有最高0.2nm的均方根粗糙度值。
3.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第一半导体本体基于氮化物化合物半导体材料。
4.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第一半导体本体的电接触仅从所述第一半导体本体的背离所述第二半导体本体的侧进行。
5.根据权利要求4所述的发射光的半导体器件，其中所述第二半导体本体包括至少一个多量子阱结构，所述多量子阱结构由在所述第一半导体本体中所产生的电磁辐射进行光泵浦。
6.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第二半导体本体和所述第一半导体本体具有相同的光学折射率。
7.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第二半导体本体基于AlnGamIn1-n-mN或AlnGamIn1-n-mAs或AlnGamIn1-n-mP材料体系，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。
8.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第二半导体本体具有最高6μm的厚度。
9.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第二半导体本体具有至少为2.4的折射率。
10.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述第一半导体本体和所述第二半导体本体相互分开地制成。
11.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述半导体器件在工作时产生暖白光。
12.根据权利要求1或2所述的发射光的半导体器件，其中所述半导体器件在工作时产生冷白光。
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