[发明专利]半导体存储器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底对应字线区的位置上形成第一光罩，定义字线区的位置，并光刻形成第一掩模图形；侧向刻蚀第一掩模图形；对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一硬掩膜图形；进行离子注入，形成第一掺杂区；在半导体衬底上形成第二介质层；在第二介质层上形成第二光罩，定义浮栅区的位置，并光刻形成第二掩模图形，刻蚀第二介质层形成多个第二硬掩模图形；进行离子注入，形成第二掺杂区，通过调整字线硬掩膜刻蚀和字线区离子注入的次序，对掩膜图形进行侧向刻蚀，所小区覆盖面积，从而使得存储区离子注入和字线区离子注入的面积能100％覆盖整个存储器件，从而改善了存储器件的均匀不好，沟道电流受到影响的问题，提高了半导体器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体存储器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一半导体衬底，在所述半导体衬底，在所述半导体衬底上具有第一介质层；/n在半导体衬底对应字线区的位置上形成第一光罩，定义字线区的位置，并光刻形成第一掩模图形；/n侧向刻蚀第一掩模图形；/n对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一硬掩膜图形，以暴露出位于所述字线区和浮栅区之间的间隙区；/n进行离子注入，形成第一掺杂区；/n在半导体衬底上形成第二介质层；/n在第二介质层上形成第二光罩，定义所述浮栅区的位置，并光刻形成第二掩模图形；/n刻蚀第二介质层形成多个第二硬掩模图形；/n进行离子注入，形成第二掺杂区；/n其中，所述第一掺杂区离子注入和第二掺杂区离子注入的面积100％覆盖整个存储单元区。/n