[发明专利]晶圆测试方法在审
| 申请号： | 201710072141.8 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN106847726A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 唐成伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆测试方法，所述晶圆包含多个芯片，每个芯片包含上电复位电路，所述上电复位电路引出两个端口，将两个端口通过导线连接或者断开，来控制上电复位电路的启动电压点的高低，进而控制其复位的条件；所述两个端口之间的导线放在芯片之间的划片槽内，在晶圆完成测试划片之后，放置于划片槽内的导线被切断，上电复位电路两个端口之间呈现开路，改变上电复位电路的启动电压点。本发明在裂片前，上电复位电路的启动电压点较低，上电复位电路复位放开，可以进行芯片的正常测试；裂片后，放置于划片槽内的导线被切断破坏，上电复位电路的电压点较高，要在较高的电压下，上电复位电路复位才会放开，保证芯片的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆测试方法，所述晶圆包含多个芯片，每个芯片包含上电复位电路，所述上电复位电路引出两个端口，将两个端口通过导线连接或者断开，来控制上电复位电路的启动电压点的高低，进而控制其复位的条件；其特征在于：所述两个端口之间的导线放在芯片之间的划片槽内，在晶圆完成测试划片之后，放置于划片槽内的导线被切断，上电复位电路两个端口之间呈现开路，改变上电复位电路的启动电压点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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