[发明专利]具有在源极/漏极区域中的扩散阻挡层的设备

摘要

本发明涉及一种具有在源极/漏极区域中的扩散阻挡层的设备，其方法包括形成定义于半导体材料中的沟道区域上方的栅极电极结构。该半导体材料被凹陷至源/漏区域中。第一材料外延生长于该源/漏区域中。该第一材料包括具有第一浓度的掺杂物种类。扩散阻挡层形成于该第一材料上方的该源/漏区域中。第二材料外延生长于该扩散阻挡层上方的该源/漏区域中。该第二材料包括具有大于该第一浓度的第二浓度的该掺杂物种类。

主权项

一种方法，其特征为，该方法包括：形成一栅极电极结构于定义于一半导体材料中的一沟道区域的上方；凹陷该半导体材料于邻接该沟道区域的一源/漏区域中；外延生长一第一材料于所述源/漏区域中，其中，该第一材料包括具有第一浓度的一掺杂种类；形成一扩散阻挡层于该第一材料上方的该源/漏区域中；以及外延生长一第二材料于该扩散阻挡层上方的该源/漏区域中，其中，该第二材料包括具有大于该第一浓度的一第二浓度的该掺杂种类。