[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710069723.0 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107134457B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 糸川宽志 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：配线，沿第1方向延伸；半导体部件，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；电极，设置在所述配线与所述半导体部件之间；第1绝缘膜，设置在所述配线与所述电极之间；第2绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述电极之间；第3绝缘膜，设置在所述电极与所述半导体部件之间；及含金属的层，设置在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间或所述第1绝缘膜的内部，且金属的面浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具备：配线，沿第1方向延伸；半导体部件，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；电极，设置在所述配线与所述半导体部件之间；第1绝缘膜，设置在所述配线与所述电极之间；第2绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述电极之间；第3绝缘膜，设置在所述电极与所述半导体部件之间；及含金属的层，设置在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间或所述第1绝缘膜的内部，且金属的面浓度为1×1014cm‑2以上且5×1015cm‑2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
