[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

配线，沿第1方向延伸；

半导体部件，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；

电极，设置在所述配线与所述半导体部件之间；

第1绝缘膜，设置在所述配线与所述电极之间；

第2绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述电极之间；

第3绝缘膜，设置在所述电极与所述半导体部件之间；及

含金属的层，设置在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间或所述第1绝缘膜的内部，且金属的面浓度为1×10¹⁴cm^-2以上且5×10¹⁵cm^-2以下。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述含金属的层与所述第2绝缘膜相接。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述金属为钼。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备配置在所述半导体部件的所述第2方向侧的衬底，

所述半导体部件连接于所述衬底，

所述第1方向沿着所述衬底的连接着所述半导体部件的表面，且

所述第2方向相对于所述表面交叉。

5.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

配线，沿第1方向延伸；

半导体部件，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；

电极，设置在所述配线与所述半导体部件之间；

第1绝缘膜，设置在所述配线与所述电极之间；

第2绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述电极之间；

第3绝缘膜，设置在所述电极与所述半导体部件之间；及

含金属的层，设置在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间或所述第1绝缘膜的内部，且含有钼。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：所述含金属的层与所述第2绝缘膜相接。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘膜具有：

第1绝缘层，与所述配线相接；

第2绝缘层，介电常数低于所述第1绝缘层的介电常数；及

第3绝缘层，与所述第2绝缘膜相接，且介电常数高于所述第2绝缘层的介电常数；且

所述含金属的层配置在所述第3绝缘层内。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1绝缘膜含有铪、硅及氧。

9.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电极含有硅。

10.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第2绝缘膜含有硅及氮。

11.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于还具备沿着所述第2方向相互隔开地排列的多个第4绝缘膜，

所述配线、所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜及所述电极配置在所述第2方向上的所述第4绝缘膜间，且

所述半导体部件配置在从所述多个第4绝缘膜观察时相对于包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向上。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述半导体部件设置着多个，且沿着所述第1方向排列，且

所述含金属的层及所述电极沿着所述第1方向在每一所述半导体部件被分断。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述半导体部件的所述第3方向的两侧，从所述半导体部件侧依次分别配置有所述第3绝缘膜、所述电极、所述第2绝缘膜、所述第1绝缘膜、所述配线，且在两侧的2个所述配线之间构成有2个存储单元。