[发明专利]监控深沟槽刻蚀深度均匀性的方法有效
| 申请号： | 201710068652.2 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN106847725B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种监控深沟槽刻蚀深度均匀性的方法，包括以下步骤：1)准备硅通孔硅片；2)在步骤1)的硅片的背面进行减薄；3)在步骤2)的减薄过程中记录硅片的厚度变化及压力变化；4)根据步骤3)的厚度变化以及压力变化绘制曲线，计算沟槽深度的均匀性。本方法操作过程简单，且成本低，能够有效的监控深沟槽刻蚀深度均匀性，该方法基本不受深沟槽的深度的影响，尤其是对于现有技术中采用常规红外两侧机台难以检测的大的深宽比的深沟槽工艺，也能取得很好监控效果。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 深沟 刻蚀 深度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监控深沟槽刻蚀深度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）准备具有深沟槽的硅片，不填充深沟槽；2）在步骤1）的硅片的背面进行减薄；3）在步骤2）的减薄过程中记录硅片的厚度变化以及压力变化；4）根据步骤3）的厚度变化以及压力变化绘制曲线，计算沟槽深度的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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