[发明专利]监控深沟槽刻蚀深度均匀性的方法

权利要求书

1.一种监控深沟槽刻蚀深度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）准备具有深沟槽的硅片，不填充深沟槽；

2）在步骤1）的硅片的背面进行减薄；

3）在步骤2）的减薄过程中记录硅片的厚度变化以及压力变化；

4）根据步骤3）的厚度变化以及压力变化绘制曲线，计算沟槽深度的均匀性。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1）中于硅片正面贴附一层表面保护蓝膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，使用减薄机台对硅片进行减薄。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述减薄机台的磨轮为1200目或更小目数。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，将减薄条件终点厚度设置在深沟槽目标深度-20um厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4）中，厚度—压力变化曲线中，压力突然变大时的厚度值为沟槽最大深度；斜率突然变大区间内为沟槽大面积暴露区域，取该区域中间位置作为沟槽深度的平均值；在曲线的顶点为沟槽最浅处，得到沟槽最小深度；根据以上深度计算沟槽深度的均匀性。