[发明专利]锗层图形化方法及硅基MEMS运动传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201710068609.6 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN106865488B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈跃华;熊磊;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗层图形化方法，包括步骤：步骤11、在硅晶圆表面形成锗层；步骤12、光刻定义出锗层需要刻蚀的区域；步骤13、进行第一次锗刻蚀，完成后在刻蚀区域外保留一定厚度的锗层；步骤14、进行去除锗基聚合物的原位刻蚀处理，原位刻蚀处理中锗层需要刻蚀的区域外的硅通过所保留的锗层保护；步骤15、进行第二次锗刻蚀将锗层需要刻蚀的区域的锗层全部去除；步骤16、进行光刻胶的剥离。本发明公开了一种硅基MEMS运动传感器的制造方法。本发明能降低聚合物残留，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 方法 mems 运动 传感器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种锗层图形化方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤11、提供一硅晶圆，在所述硅晶圆表面形成锗层；步骤12、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出所述锗层需要刻蚀的区域；步骤13、采用反应离子刻蚀工艺对所述锗层进行第一次锗刻蚀，所述第一次锗刻蚀过程中会发生再沉积形成锗基聚合物，所述第一次锗刻蚀完成后在刻蚀区域外保留一定厚度的所述锗层且保留的所述锗层的厚度满足在后续步骤14的原位刻蚀处理中用于对底部的所述硅晶圆的硅进行保护；步骤14、保持所述硅晶圆的位置不变对所述硅晶圆正面进行去除所述锗基聚合物的原位刻蚀处理；所述原位刻蚀处理中所述锗层需要刻蚀的区域外的硅通过所保留的所述锗层保护；步骤15、保持所述硅晶圆的位置不变采用反应离子刻蚀工艺对所述锗层进行第二次锗刻蚀，所述第二次锗刻蚀将所述锗层需要刻蚀的区域的所述锗层全部去除；步骤16、对去除了所述锗基聚合物后的所述硅晶圆进行光刻胶的剥离。
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