[发明专利]锗层图形化方法及硅基MEMS运动传感器的制造方法

权利要求书

1.一种锗层图形化方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤11、提供一硅晶圆，在所述硅晶圆表面形成锗层；

步骤12、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出所述锗层需要刻蚀的区域；

步骤13、采用反应离子刻蚀工艺对所述锗层进行第一次锗刻蚀，所述第一次锗刻蚀过程中会发生再沉积形成锗基聚合物，所述第一次锗刻蚀完成后在刻蚀区域外保留一定厚度的所述锗层且保留的所述锗层的厚度满足在后续步骤14的原位刻蚀处理中用于对底部的所述硅晶圆的硅进行保护；

步骤14、保持所述硅晶圆的位置不变对所述硅晶圆正面进行去除所述锗基聚合物的原位刻蚀处理；所述原位刻蚀处理中所述锗层需要刻蚀的区域外的硅通过所保留的所述锗层保护；

步骤15、保持所述硅晶圆的位置不变采用反应离子刻蚀工艺对所述锗层进行第二次锗刻蚀，所述第二次锗刻蚀将所述锗层需要刻蚀的区域的所述锗层全部去除；

步骤16、对去除了所述锗基聚合物后的所述硅晶圆进行光刻胶的剥离。

2.如权利要求1所述的锗层图形化方法，其特征在于：所述第一次锗刻蚀和所述第二次锗刻蚀的刻蚀气体都为氯源气体，形成的所述锗基聚合物为氯化锗基聚合物。

3.如权利要求2所述的锗层图形化方法，其特征在于：所述氯源气体为氯气或三氯化硼。

4.如权利要求2所述的锗层图形化方法，其特征在于：步骤14中所述原位刻蚀处理的刻蚀气体为氟源气体或氧源气体。

5.如权利要求4所述的锗层图形化方法，其特征在于：所述氟源气体包括四氟化碳，六氟化硫，所述氧源气体为氧气。

6.如权利要求1所述的锗层图形化方法，其特征在于：所述第一次锗刻蚀完成后在刻蚀区域还保留的所述锗层的厚度为

7.一种硅基MEMS运动传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供具有空腔结构的第一硅晶圆，所述第一硅晶圆键合在第二硅晶圆的第一面上；

步骤二、在所述第二硅晶圆上进行深硅刻蚀形成硅基MEMS运动传感器的固定电极和可动电极；

步骤三、在所述第二硅晶圆的第二面上形成锗层的图形，以图形化后的所述锗层作为第一键合层且所述第一键合层都位于所述固定电极上；锗层图形化方法包括如下步骤：

步骤11、在所述第二硅晶圆的第二面形成锗层；

步骤12、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出所述锗层需要刻蚀的区域；

步骤13、采用反应离子刻蚀工艺对所述锗层进行第一次锗刻蚀，所述第一次锗刻蚀过程中会发生再沉积形成锗基聚合物，所述第一次锗刻蚀完成后在刻蚀区域外保留一定厚度的所述锗层且保留的所述锗层的厚度满足在后续步骤14的原位刻蚀处理中用于对底部的所述第二硅晶圆的第二面的硅进行保护；

步骤14、保持所述第二硅晶圆的位置不变对所述第二硅晶圆的第二面进行去除所述锗基聚合物的原位刻蚀处理；所述原位刻蚀处理中所述锗层需要刻蚀的区域外的硅通过所保留的所述锗层保护；

步骤15、保持所述硅晶圆的位置不变采用反应离子刻蚀工艺对所述锗层进行第二次锗刻蚀，所述第二次锗刻蚀将所述锗层需要刻蚀的区域的所述锗层全部去除；

步骤16、对去除了所述锗基聚合物后的所述第二硅晶圆进行光刻胶的剥离；

步骤三、提供第三硅晶圆，在所述第三硅晶圆上形成CMOS集成电路；

步骤四、在所述第三硅晶圆的顶层金属以及钝化层表面形成第二键合层，通过所述第一键合层和所述第二键合层实现所述第三硅晶圆和所述第二硅晶圆的共晶键合并实现电极连接。

8.如权利要求7所述的硅基MEMS运动传感器的制造方法，其特征在于：所述第一次锗刻蚀和所述第二次锗刻蚀的刻蚀气体都为氯源气体，形成的所述锗基聚合物为氯化锗基聚合物。

9.如权利要求8所述的硅基MEMS运动传感器的制造方法，其特征在于：所述氯源气体为氯气或三氯化硼。