[发明专利]一种极薄柔性电子芯片封装方法及产品

摘要

本发明公开了一种极薄柔性电子芯片封装方法，包括以下步骤：(1)在硅片背面旋涂并热固化高分子层，得到柔硅片；(2)将柔硅片贴合在蓝膜上；(3)通过等离子刻蚀与机械划片完成柔硅片在蓝膜上的分离，得到柔芯片；(4)将柔芯片从蓝膜上剥离；(5)利用各向异性导电胶，通过热压完成柔芯片与系统基底的电连接。本发明实现极薄芯片在柔性电子系统中的封装，利用薄芯片增加柔性，同时又采取特殊工艺手段减少极薄硅片和芯片碎裂的可能。

主权项

1.一种极薄柔性电子芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅片背面旋涂并热固化高分子层，得到柔硅片，所述硅片的厚度为15～30微米，所述高分子层的厚度为20～100微米，所述高分子层采用聚酰亚胺、铂催化硅橡胶、 聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷中的任意一种；(2)将柔硅片贴合在蓝膜上；(3)通过等离子刻蚀与机械划片完成柔硅片在蓝膜上的分离，得到柔芯片；其中，等离子刻蚀的具体实现方式为：首先刻蚀硅片，反应离子刻蚀的气体采用六氟化硫，射频电源工作频率10～20MHz；电感耦合等离子体的功率200～400W，气压15～30Pa，气体流量30～50sccm，刻蚀时间7～13分钟；接着刻蚀高分子材料层，采用专用机床搭配多刀头钢质材料刀具，刀刃厚度为10～60微米，横向、纵向各切割一次或多次，直至所有芯片之间都被完全分割，切割深度比高分子材料层厚度大5～20微米；(4)将柔芯片从蓝膜上剥离；(5)利用各向异性导电胶，通过热压完成柔芯片与系统基底的电连接。