[发明专利]一种极薄柔性电子芯片封装方法及产品

权利要求书

1.一种极薄柔性电子芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在硅片背面旋涂并热固化高分子层，得到柔硅片，所述硅片的厚度为15～30微米，所述高分子层的厚度为20～100微米，所述高分子层采用聚酰亚胺、铂催化硅橡胶、 聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷中的任意一种；

(2)将柔硅片贴合在蓝膜上；

(3)通过等离子刻蚀与机械划片完成柔硅片在蓝膜上的分离，得到柔芯片；其中，等离子刻蚀的具体实现方式为：

首先刻蚀硅片，反应离子刻蚀的气体采用六氟化硫，射频电源工作频率10～20MHz；电感耦合等离子体的功率200～400W，气压15～30Pa，气体流量30～50sccm，刻蚀时间7～13分钟；

接着刻蚀高分子材料层，采用专用机床搭配多刀头钢质材料刀具，刀刃厚度为10～60微米，横向、纵向各切割一次或多次，直至所有芯片之间都被完全分割，切割深度比高分子材料层厚度大5～20微米；

(4)将柔芯片从蓝膜上剥离；

(5)利用各向异性导电胶，通过热压完成柔芯片与系统基底的电连接。

2.根据权利要求1所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，

所述硅片厚度20～30微米，高分子层厚度20～30微米；

刻蚀硅片过程中，气体采用六氟化硫，射频电源工作频率12～16MHz；电感耦合等离子体功率280～320W，气压23～27Pa，气体流量38～42sccm，刻蚀时间8～12分钟；

刻蚀高分子材料层中，刀刃厚度为10～40微米，横向、纵向各切割一次或多次，直至所有芯片之间都被完全分割，切深比高分子材料层厚度大5～10微米。

3.根据权利要求1所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，所述硅片按照如下方式获得：在源硅片正面塑封一层背磨胶带，对源硅片进行减薄，得到预定厚度的硅片。

4.根据权利要求3所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，在所述步骤(2)之前将柔硅片与背磨胶带分离。

5.根据权利要求1所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，所述步骤(4)的具体实现方式为：通过紫外光照射蓝膜降低其粘性，之后采用顶针顶起蓝膜底部，同时用真空吸盘从芯片顶部吸取柔芯片。

6.根据权利要求1所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，所述各向异性导电胶采用环氧树脂、聚酰亚胺和聚氨基甲酸酯中的任意一种。

7.按照权利要求1至6任意一项所述的柔性电子芯片封装方法得到的产品。