[发明专利]半导体装置及电子设备有效
申请号: | 201710063863.7 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN107046040B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 松田慎平;坂仓真之;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 何杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体装置及电子设备。本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括存储电路及保持电路,其中存储电路包括第一晶体管,保持电路包括第二晶体管。存储电路具有使第一晶体管处于开启状态来写入数据的功能以及使第一晶体管处于关闭状态来保持数据的功能。保持电路具有使第二晶体管处于开启状态来对第一晶体管的背栅极供应使第一晶体管处于关闭状态的第一电位的功能以及使第二晶体管处于关闭状态来保持第一电位的功能。作为第一晶体管和第二晶体管使用电特性不同的晶体管。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:包括第一晶体管的第一电路;以及包括第二晶体管的第二电路,其中,所述第一晶体管包括第一半导体层及第一背栅极,所述第二晶体管包括第二半导体层,所述第一电路通过使所述第一晶体管处于开启状态写入数据并且通过使所述第一晶体管处于关闭状态保持所述数据,所述第二电路通过使所述第二晶体管处于开启状态对所述第一背栅极供应使所述第一晶体管处于关闭状态的电位并且通过使所述第二晶体管处于关闭状态保持所述电位,并且,所述第二晶体管的阈值电压高于将所述第一背栅极的电位设定为与所述第一晶体管的源极或栅极相同的电位时的所述第一晶体管的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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