[发明专利]半导体装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 201710063863.7 申请日: 2017-02-04
公开(公告)号: CN107046040B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 松田慎平;坂仓真之;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 何杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置及电子设备。本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括存储电路及保持电路,其中存储电路包括第一晶体管,保持电路包括第二晶体管。存储电路具有使第一晶体管处于开启状态来写入数据的功能以及使第一晶体管处于关闭状态来保持数据的功能。保持电路具有使第二晶体管处于开启状态来对第一晶体管的背栅极供应使第一晶体管处于关闭状态的第一电位的功能以及使第二晶体管处于关闭状态来保持第一电位的功能。作为第一晶体管和第二晶体管使用电特性不同的晶体管。
搜索关键词: 半导体 装置 电子设备
【主权项】:
一种半导体装置,包括:包括第一晶体管的第一电路;以及包括第二晶体管的第二电路,其中,所述第一晶体管包括第一半导体层及第一背栅极,所述第二晶体管包括第二半导体层,所述第一电路通过使所述第一晶体管处于开启状态写入数据并且通过使所述第一晶体管处于关闭状态保持所述数据,所述第二电路通过使所述第二晶体管处于开启状态对所述第一背栅极供应使所述第一晶体管处于关闭状态的电位并且通过使所述第二晶体管处于关闭状态保持所述电位,并且,所述第二晶体管的阈值电压高于将所述第一背栅极的电位设定为与所述第一晶体管的源极或栅极相同的电位时的所述第一晶体管的阈值电压。
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