[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 201710063863.7 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN107046040B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 松田慎平;坂仓真之;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 何杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，包括：
包括第一晶体管的第一电路；以及
包括第二晶体管的第二电路，
其中，所述第一晶体管包括第一半导体层及第一背栅极，
所述第二晶体管包括第二半导体层，
所述第一半导体层包含第一氧化物半导体，
所述第二半导体层包含第二氧化物半导体，该第二氧化物半导体具有与所述第一氧化物半导体不同的电子亲和势，
所述第一电路通过使所述第一晶体管处于开启状态写入数据并且通过使所述第一晶体管处于关闭状态保持所述数据，
所述第二电路通过使所述第二晶体管处于开启状态对所述第一背栅极供应使所述第一晶体管处于关闭状态的电位并且通过使所述第二晶体管处于关闭状态保持所述电位，
并且，所述第二晶体管的阈值电压高于将所述第一背栅极的电位设定为与所述第一晶体管的源极或栅极相同的电位时的所述第一晶体管的阈值电压。
2.一种半导体装置，包括：
包括第一晶体管的第一电路；以及
包括第二晶体管的第二电路，
其中，所述第一晶体管包括第一半导体层及第一背栅极，
所述第二晶体管包括第二半导体层及第二背栅极，
所述第一半导体层包含第一氧化物半导体，
所述第二半导体层包含第二氧化物半导体，该第二氧化物半导体具有与所述第一氧化物半导体不同的电子亲和势，
所述第一电路通过使所述第一晶体管处于开启状态写入数据并且通过使所述第一晶体管处于关闭状态保持所述数据，
所述第二电路通过使所述第二晶体管处于开启状态对所述第一背栅极供应使所述第一晶体管处于关闭状态的电位并且通过使所述第二晶体管处于关闭状态保持所述电位，
并且，将所述第二背栅极的电位设定为与所述第二晶体管的源极或栅极相同的电位时的所述第二晶体管的阈值电压高于将所述第一背栅极的电位设定为与所述第一晶体管的源极或栅极相同的电位时的所述第一晶体管的阈值电压。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在同一表面上。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中，所述第二晶体管还包括一对半导体层，该一对半导体层的顶面及侧面被所述第二半导体层覆盖，
并且，所述一对半导体层包含与所述第一半导体层所包含的半导体材料相同的半导体材料。
5.一种包括权利要求1或2所述的半导体装置、以及选自天线、电池、操作开关、麦克风和扬声器中的一种或多种的电子设备。
6.一种包括权利要求1或2所述的半导体装置、以及分离区域的半导体晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
