[发明专利]半导体元件及其形成方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包含多个位线、晶体管、介电层、多个插塞以及盖层。多个位线设置在基底的存储器区；晶体管设置在基底的周边区。多个插塞设置在介电层内，并分别位于存储器区与周边区内。盖层是同时设置在该存储器区与该周边区内，位于周边区内的盖层介于多个插塞之间，并使一部分的介电层位于盖层与多个晶体管之间。

主权项

1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于包含：提供一基底，该基底包含存储器区与周边区；在该基底的该存储器区形成多个位线，各该位线的两侧形成一复合间隙壁，该复合间隙壁包含中间硅层；在该基底的周边区形成至少一栅极结构；形成一介电层，该介电层覆盖在该存储器区与该周边区上；在该介电层内形成多个插塞，该些插塞分别位于该存储器区与该周边区内；移除该复合间隙壁的该中间硅层，以在该复合间隙壁内形成一空隙层；以及形成一盖层，覆盖在该空隙层与该介电层上。