[发明专利]垂直存储器件及其制造方法

摘要

本公开提供垂直存储器件及其制造方法。一种垂直存储器件包括绝缘夹层图案、栅电极、沟道和电荷存储图案结构。绝缘夹层图案在第一方向上间隔开。栅电极分别在相邻的绝缘夹层图案之间。沟道在第一方向上延伸穿过绝缘夹层图案和栅电极。电荷存储图案结构包括在第二方向上顺序堆叠在沟道与每个栅电极之间的隧道绝缘图案、电荷俘获图案结构和阻挡图案。电荷俘获图案结构包括在第一方向上间隔开的电荷俘获图案。电荷俘获图案分别邻近第一栅电极的侧壁。第一电荷俘获图案在第一方向上沿第一绝缘夹层图案的侧壁延伸。

主权项

一种垂直存储器件，包括：在衬底上的多个绝缘夹层图案，所述多个绝缘夹层图案在垂直于所述衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；多个栅电极，分别在所述多个绝缘夹层图案中的相邻的绝缘夹层图案之间；沟道，在所述衬底上在所述第一方向上延伸穿过所述绝缘夹层图案和所述栅电极；以及电荷存储图案结构，包括在平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上顺序堆叠在所述沟道与每个所述栅电极之间的隧道绝缘图案、电荷俘获图案结构和阻挡图案，其中所述电荷俘获图案结构包括在所述第一方向上彼此间隔开的多个电荷俘获图案，其中所述多个电荷俘获图案分别邻近所述多个栅电极中的第一栅电极的侧壁，并且其中所述多个电荷俘获图案中的第一电荷俘获图案在所述第一方向上沿所述多个绝缘夹层图案中的第一绝缘夹层图案的侧壁延伸。