[发明专利]一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置

摘要

本发明提供了一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置，所述方法包括获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B；获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′；基于所述Pout和所述Pout′，计算退化量ΔPout＝Pout′‑Pout；以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。本发明能够实现在对元器件无损坏的前提下，进行对GaN发光二极管元器件准确、高效的筛选。

主权项

一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法，其特征在于，包括：获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B；获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′；基于所述Pout和所述Pout′，计算退化量ΔPout＝Pout′‑Pout；以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量其中，X为信息参数B构成的矩阵，是残差，系数向量的展开式为建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程：其中，ΔPoutk＝β0+β1Bk为测量值对应的输出光功率退化量的预测值，t(1‑α/2，(n‑2))是置信度为1‑α的t分布，为残差，为的转置，XT为X的转置，为的转置；利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。