[发明专利]一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置

权利要求书

1.一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法，其特征在于，包括：

获取随机子样器件的输出光功率P_out和1/f噪声幅值B；

获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率P_out′；

基于所述P_out和所述P_out′，计算退化量ΔP_out＝P_out′-P_out；

以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔP_out作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔP_out之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔP_out和信息参数B的系数向量其中，X为信息参数B构成的矩阵，是残差，系数向量的展开式为

建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程：其中，ΔP_outk＝β₀+β₁B_k为测量值对应的输出光功率退化量的预测值，t(1-α/2，(n-2))是置信度为1-α的t分布，为残差，为的转置，X^T为X的转置，为的转置；

利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。

2.根据权利要求1所述的一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法，其特征在于，所述获取随机子样器件的1/f噪声幅值B包括：设置GaN发光二极管的输入电流；

在GaN发光二极管的输出端引出噪声信号，并进行低噪声的前置放大；

将放大后的噪声信号传输给数据采集卡；

通过计算机软件计算并提取数据采集卡采集的数据，得到噪声幅值。

3.根据权利要求1所述的一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法，其特征在于，所述利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能，包括：

获取待筛选器件在工作区某一电流值处的1/f噪声幅值B；

将所测的1/f噪声幅值B带入回归预测方程得到此GaN发光二极管的输出光功率退化预测值；

确定所述器件的输出光功率退化容限；

将所述预测值和所述输出光功率退化容限进行比较，如果此预测值在此类器件的输出光功率退化容限之内，则认为此器件为合格产品；反之，如果得到的预测值落在此类器件的输出光功率退化容限之外，则认为此器件为不合格产品。

4.一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选装置，其特征在于，包括：

第一获取单元，用于获取随机子样器件的输出光功率P_out和1/f噪声幅值B；

第二获取单元，用于获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率P_out′；

计算单元，用于基于所述P_out和所述P_out′，计算退化量ΔP_out＝P_out′-P_out；线性回归方程建立单元，用于以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔP_out作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔP_out之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔP_out和信息参数B的系数向量其中，X为信息参数B构成的矩阵，是残差，系数向量的展开式为

建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程：其中，ΔP_outk＝β₀+β₁B_k为测量值对应的输出光功率退化量的预测值，t(1-α/2，(n-2))是置信度为1-α的t分布，为残差，为的转置，X^l为X的转置，为的转置；

预测单元，利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。