[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710061014.8 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346657A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 朱继光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，提供一第一半导体衬底，第一半导体衬底包括薄膜区域与厚膜区域；对薄膜区域内的第一半导体衬底进行刻蚀，并剩余部分厚度的所述第一半导体衬底；在第一半导体衬底上形成平坦化层；将第一半导体衬底上形成有平坦化层的一面与一第二半导体衬底进行键合；去除远离平坦化层的一部分第一半导体衬底；由于在所述薄膜区域内对第一半导体衬底的刻蚀，第一半导体衬底在所述薄膜区域内的厚度小于在厚膜区域内的厚度，因此形成的半导体器件能够集成不同类型的MOSFT器件在同一个绝缘体上硅上，由此提高了半导体器件的性能、缩小了器件的尺寸，并且节省了封装的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 半导体器件 薄膜区域 平坦化层 厚膜区域 刻蚀 绝缘体上硅 键合 去除 封装 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括薄膜区域与厚膜区域；对所述薄膜区域内的第一半导体衬底进行刻蚀，并剩余部分厚度的所述第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成平坦化层；将所述第一半导体衬底上形成有所述平坦化层的一面与一第二半导体衬底进行键合；去除远离所述平坦化层的一部分所述第一半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710061014.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
