[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，提供一第一半导体衬底，第一半导体衬底包括薄膜区域与厚膜区域；对薄膜区域内的第一半导体衬底进行刻蚀，并剩余部分厚度的所述第一半导体衬底；在第一半导体衬底上形成平坦化层；将第一半导体衬底上形成有平坦化层的一面与一第二半导体衬底进行键合；去除远离平坦化层的一部分第一半导体衬底；由于在所述薄膜区域内对第一半导体衬底的刻蚀，第一半导体衬底在所述薄膜区域内的厚度小于在厚膜区域内的厚度，因此形成的半导体器件能够集成不同类型的MOSFT器件在同一个绝缘体上硅上，由此提高了半导体器件的性能、缩小了器件的尺寸，并且节省了封装的成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)，也称绝缘衬底上的硅，在顶层硅和背衬底之间引入一层埋氧化层，是一种具有独特的“硅/绝缘层/硅”三层结构的新型硅基半导体材料。它通过绝缘埋层实现了器件和衬底的全介质隔离。

在SOI上制作的MOSFT(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)器件具有非常有吸引力的性能优势，尤其是在射频开关(RF switch)、功率放大(power amplification)以及管理应用(managementapplications)等方面。

但是不同类型的MOSFT器件需要不同的源极、漏极或阱等结构，因此，需要SOI的埋氧化层上的硅层具有不同的厚度，不同的MOSFT器件形成在具有不同厚度的硅层的SOI上，然后再对不同类型的MOSFT器件进行集成封装。

因此，提供一种具有薄膜与厚膜的绝缘体上硅，不同类型的MOSFT器件可以形成在同一个SOI上，从而在同一SOI上可以集成不同类型的MOSFT器件，由此可以提高半导体器件的性能，节省封装成本，并且可以缩小尺寸。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，集成不同类型的MOSFT器件在同一个SOI上，提高半导体器件的性能。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

提供一第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括薄膜区域与厚膜区域；

对所述薄膜区域内的第一半导体衬底进行刻蚀，并剩余部分厚度的所述第一半导体衬底；

在所述第一半导体衬底上形成平坦化层；

将所述第一半导体衬底上形成有所述平坦化层的一面与一第二半导体衬底进行键合；

去除远离所述平坦化层的一部分所述第一半导体衬底。

可选的，在对所述薄膜区域内的第一半导体衬底进行刻蚀之前，在所述第一半导体衬底进行键合的一面上形成第一键合层。

可选的，形成所述第一键合层之后，对所述第一半导体衬底形成有第一键合层的一面进行离子注入，在所述第一半导体衬底内部形成离子注入层。

可选的，所述离子注入的深度大于所述刻蚀的深度。

可选的，所述离子注入中的离子为氢离子。

通过剥离的方法去除远离所述平坦化层的一部分所述第一半导体衬底。

在去除远离所述平坦化层的一部分所述第一半导体衬底的步骤中，去除所述离子注入层以及所述离子注入层背离所述平坦化层一侧的一部分所述第一半导体衬底。

在进行剥离时，进行退火工艺使注入的所述氢离子形成气泡令一部分所述第一半导体衬底剥离。

所述退火工艺的温度小于400℃