[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、液晶面板在审
| 申请号： | 201710058106.0 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106847927A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 黄贵华 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,顾楠楠 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括基板，所述基板上沉积有图案化的源极以及公共电极，在源极以及公共电极上覆盖有衬垫层，所述源极远离公共电极的一侧裸露在衬垫层外形成裸露部，在衬垫层上沉积漏极并图案化形成像素电极，所述像素电极位于源极的一侧、裸露部以及基板位于源极的一侧上依次沉积有图案化的半导体层、栅极绝缘层以及图案化的栅极，从而形成截面为阶梯结构的半导体沟道，所述像素电极通过半导体层与源极连接。本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法以及液晶面板与现有技术相比，提高了薄膜晶体管的开关比，也提高了开口率；能够应用于高解析度面板上；减少了工艺流程，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 液晶面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上沉积有图案化的源极(2)以及公共电极(3)，在源极(2)以及公共电极(3)上覆盖有衬垫层(4)，所述源极(2)远离公共电极(3)的一侧裸露在衬垫层(4)外形成裸露部(5)，在衬垫层(4)上沉积漏极并图案化形成像素电极(6)，所述像素电极(6)位于源极(2)的一侧、裸露部(5)以及基板(1)位于源极(2)的一侧上依次沉积有图案化的半导体层(8)、栅极绝缘层(9)以及图案化的栅极(10)，从而形成截面为阶梯结构的半导体沟道(7)，所述像素电极(6)通过半导体层(8)与源极(2)连接。
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