[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、液晶面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上沉积有图案化的源极(2)以及公共电极(3)，在源极(2)以及公共电极(3)上覆盖有衬垫层(4)，所述源极(2)远离公共电极(3)的一侧裸露在衬垫层(4)外形成裸露部(5)，在衬垫层(4)上沉积漏极并图案化形成像素电极(6)，所述像素电极(6)位于源极(2)的一侧、裸露部(5)以及基板(1)位于源极(2)的一侧上依次沉积有图案化的半导体层(8)、栅极绝缘层(9)以及图案化的栅极(10)，从而形成截面为阶梯结构的半导体沟道(7)，所述像素电极(6)通过半导体层(8)与源极(2)连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述漏极以及衬垫层(4)的坡度角为45-60度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述衬垫层(4)采用SiOx或SiNx制成。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，起特征在于：所述衬垫层(4)的厚度为300-1200nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体层(8)为IGZO或a-Si材料中的一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述源极(2)及漏极(6)由一层金属层构成或由多层金属层构成的金属叠层结构。

7.根据权利要求1或5所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述源极(2)及漏极(6)的厚度为100-400nm。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、在基板(1)上分别沉积源极(2)及公共电极(3)，并对源极(2)和公共电极(3)分别进行图案化；

步骤二、在源极(2)以及公共电极(3)上沉积衬垫层(4)以及漏极，所述源极(2)远离公共电极(3)的一侧通过对衬垫层(4)以及漏极进行刻蚀，使源极(2)远离公共电极(3)的一侧形成裸露部(5)，对漏极图形化后形成像素电极(6)；

步骤三、在基板(1)上位于源极(2)的一侧、源极(2)的裸露部(5)以及像素电极(6)位于源极(2)的一侧上沉积有半导体层(8)，对半导体层(8)进行图案化后在半导体层(8)上沉积栅极绝缘层(9)；在栅极绝缘层(9)上沉积栅极(10)并进行图案化，得到截面为阶梯结构的半导体沟道(7)，所述源极(2)通过半导体层(8)与像素电极(6)连接。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述步骤一以及步骤二中漏极以及衬垫层(4)的坡度角为45-60度。

10.一种液晶面板，包括TFT阵列基板，其特征在于：所述TFT阵列基板包括如权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管。