[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710056660.5 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346692A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 顾悦吉;杨彦涛;陈琛;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括位于沟槽中的分离栅结构。所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和所述第三栅极导体之间，所述第一栅极导体的第二部分延伸至所述沟槽的下部。该功率半导体器件采用分离栅结构以提高响应速度和降低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极导体 功率半导体器件 分离栅结构 开关损耗 隔开 制造 响应 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：第一掺杂类型的集电区；位于所述集电区上的第二掺杂类型的场截止区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；位于所述场截止区上的第二掺杂类型的漂移区；位于所述漂移区上的第二掺杂类型的缓冲区；位于所述缓冲区上的第一掺杂类型的阱区；位于所述阱区中的第二掺杂类型的发射区；从所述阱区表面向下延伸，穿过所述阱区和所述缓冲区到达所述漂移区的沟槽；以及位于所述沟槽中的分离栅结构，其中，所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和所述第三栅极导体之间，所述第一栅极导体的第二部分延伸至所述沟槽的下部。
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