[发明专利]一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710056294.3 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106784016B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 操彬彬;邹志翔;杨成绍;黄寅虎;罗标;王明明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。其中，薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成。本发明的薄膜晶体管的前沟道的开态电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上。
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