[发明专利]一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。其中，薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成。本发明的薄膜晶体管的前沟道的开态电流I_on较大，后沟道的关态电流I_off较小，从而能够实现较好的开关比特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。

背景技术

AMOLED(有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)已成为当今平板显示领域的研究热点，而TFT(薄膜晶体管阵列)作为AMOLED的核心部件，其性能直接影响图像的显示效果。

基于传统非晶硅(amorphous silicon，a-Si)的TFT由于非晶硅材料迁移率较低，不具有较高性能的开关比，因此难以满足AMOLED在大电流驱动下的需要。

有鉴于此，当前急需一种提高薄膜晶体管的开关比特性的技术方案。

发明内容

本发明的目的是提供一种可提高薄膜晶体管的开关比特性的技术方案。

为实现上述目的，一方面，本发明的实施例提供一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；

所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上。

其中，所述第一图形至少一部分由p-Si材料组成。

其中，所述第一图形包括第一部分和与所述第一部分同层且包围所述第一部分的第二部分，所述第一部分由p-Si材料组成，所述第二部分由a-Si材料组成。

其中，所述源极和漏极之间的区域在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

其中，所述第二图形由IGZO材料组成。

另一方面，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述制作方法包括：

形成包括层叠设置的第一图形和第二图形的有源层，其中，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成；

在所述有源层上形成源极和漏极。

其中，形成包括层叠设置的第一图形和第二图形的有源层，包括：

在衬底基板上沉积a-Si材料，得到第一图层结构；

采用微透镜阵列对所述第一图层结构的部分区域进行退火处理，使得该部分区域转换为p-Si材料；

沉积铟镓锌氧化物材料，得到第二图层结构；

对所述第一图层结构以及第二图层结构进行刻蚀，得到作为由第一图层结构形成的第一图形和第二图层结构形成的第二图形，所述第一图形至少一部分由p-Si材料组成。

其中，对所述第一图层结构进行刻蚀，包括：

采用干式刻蚀法，刻蚀掉所述第一图层结构的部分a-Si材料，得到由剩余a-Si材料以及被该剩余a-Si材料所包围的p-Si材料。

此外，本发明的实施例还提供一种显示基板，包括上述薄膜晶体管。

此外，本发明的实施例还提供一种显示装置，包括上述显示基板。