[发明专利]半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201710045216.3 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783581A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王品东;陈明钰;杨硕;王斌;田振兴 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，该半导体晶圆的加工方法，是在所述晶圆的待加工表面进行预处理形成加工轨迹；所述加工轨迹未及所述晶圆的边缘。该方法解决了现有技术的晶圆在进行背面刻蚀时正面图形发生二次腐造成的成品率低的技术问题，从而避免了晶圆正面的二次腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 方法 应用 肖特基 二极管 制备 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的加工方法，其特征在于，在所述晶圆的待加工表面进行预处理形成加工轨迹；所述加工轨迹未及所述晶圆的边缘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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