[发明专利]半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，该半导体晶圆的加工方法，是在所述晶圆的待加工表面进行预处理形成加工轨迹；所述加工轨迹未及所述晶圆的边缘。该方法解决了现有技术的晶圆在进行背面刻蚀时正面图形发生二次腐造成的成品率低的技术问题，从而避免了晶圆正面的二次腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其是涉及一种半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法。

背景技术

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode，缩写成SBD)不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复整流管所无法比拟的。

肖特基二极管是通过金属与半导体接触而构成，半导体通常为硅 (Si)或砷化镓(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N衬底上外延一层高阻N薄膜。N型外延片经过清洁处理及热氧化。随后用光刻技术开出窗口，并在真空系统中进行蒸发或溅射以淀积金属。金属图形由另一步光刻确定。

目前，采用的较为普遍的光刻方式是划片槽会延伸至晶圆的边缘，在后续的背面的刻蚀过程中，刻蚀液会顺着划片槽对正面图形进行二次腐蚀，从而影响正面二极管芯片的性能，进而影响成品率。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种半导体晶圆的加工方法，以解决现有技术的晶圆在进行背面刻蚀时正面图形发生二次腐造成的成品率低的技术问题。

本发明的第二目的在于提供一种肖特基二极管的制备方法，以解决现有技术肖特基二极管成品率低及质量下降的问题。

本发明的第三目的在于提供一种半导体晶圆的加工方法在制备肖特基三极管中的应用。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种半导体晶圆的加工方法，在所述晶圆的待加工表面进行预处理形成加工轨迹；所述加工轨迹未及所述晶圆的边缘。

进一步的，所述加工轨迹边缘和所述晶圆边缘之间的最大距离为 0.3－3mm。

进一步的，所述加工轨迹边缘和所述晶圆边缘之间的最大距离为 0.5－1mm。

一种肖特基二极管的制备方法，该方法包括上述半导体晶圆的加工方法。

进一步的，上述肖特基二极管的制备方法，具体包括以下步骤：

1)在衬底表面生长外延层，在所述外延层上生长保护层；

2)在所述保护层上预设刻蚀区，通过刻蚀去除所述预设刻蚀区的保护层后沉积金属层并退火处理以形成肖特基接触硅化物；

3)再利用与所述预设刻蚀区相匹配的光刻版和所述晶圆的加工方法在晶圆上形成用于切割所述晶圆的加工轨迹；

4)将具有加工轨迹的晶圆正面覆膜后进行晶圆背面的腐蚀处理。

进一步的，所述步骤3)具体包括以下步骤：在沉积金属层并经退火处理后的晶圆表面涂覆光刻胶，用与所述预设刻蚀区相匹配的光刻版进行光刻、显影、刻蚀形成加工轨迹；

所述光刻版的图形区域尺寸小于所述晶圆的表面尺寸。

进一步的，所述步骤2)中还包括有去除加工轨迹边缘至晶圆边缘之间区域的保护层的步骤。