[发明专利]用于面积减小的注入结构在审
| 申请号： | 201710041582.1 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107039254A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 阿比拉什·V·萨扎希达希尔;德尼尔·达斯·科拉迪;阿南·丹纳拉卡斯米·拉姆达斯 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的各种实现涉及集成电路。集成电路可以包括具有指定用于第一类型注入的第一区域和指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的第二区域的单元。集成电路可以包括第一注入结构，其被配置为利用第一类型注入来注入第一区域，使得第一区域在第二区域的一部分内延伸。集成电路可以包括第二注入结构，其被配置为利用第二类型注入来注入第二区域，使得第二区域在第一区域的一部分内延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 面积 减小 注入 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：单元，其具有指定用于第一类型注入的第一区域和指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的第二区域；第一注入结构，其被配置为利用第一类型注入来注入所述第一区域，使得所述第一区域在所述第二区域的一部分内延伸；以及第二注入结构，其被配置为利用第二类型注入来注入所述第二区域，使得所述第二区域在所述第一区域的一部分内延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
