[发明专利]用于面积减小的注入结构

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

单元，其具有指定用于第一类型注入的第一区域和指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的第二区域；

第一注入结构，其被配置为利用第一类型注入来注入所述第一区域，使得所述第一区域在所述第二区域的一部分内延伸；以及

第二注入结构，其被配置为利用第二类型注入来注入所述第二区域，使得所述第二区域在所述第一区域的一部分内延伸。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述单元包括具有由第一和第二区域限定的单元边界的单元区域。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述单元边界限定所述单元的单元宽度和单元高度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一区域包括N型阱区，并且其中所述第二区域包括衬底或P型阱区。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一类型注入包括P型注入，并且其中所述第二类型注入包括N型注入。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一注入结构包括第一连续注入结构，其被配置为利用在所述第二区域的一部分内连续延伸的第一类型注入来注入所述第一区域。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一注入结构被配置为在第二区域的边界内包封所述单元的第一有源区。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一注入结构经由第一金属线和通孔电耦合到具有第一极性的第一电位。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述第一电位包括地电压，并且其中所述第一极性包括负极性。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二注入结构包括第二连续注入结构，其被配置为利用在所述第一区域的一部分内连续延伸的第二类型注入来注入所述第二区域。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二注入结构被配置为在所述第一区域的边界内包封所述单元的第二有源区。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二注入结构经由第二金属线和通孔电耦合到具有第二极性的第二电位。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中所述第二电位包括源电压，并且其中所述第二极性包括正极性。

14.一种集成电路的单元，包括：

指定用于P型注入的N型阱区；

指定用于N型注入的P型阱区；

第一注入结构，其被配置为利用在所述P型阱区的一部分内延伸的P型注入来注入所述N型阱区；以及

第二注入结构，其被配置为利用在所述N型阱区的一部分内延伸的N型注入来注入所述P型阱区。

15.根据权利要求14所述的单元，其中所述单元包括具有由所述N型区和所述P型区限定的单元边界的单元区域，并且其中所述单元边界限定所述单元的单元宽度和单元高度。

16.根据权利要求14所述的单元，其中所述第一注入结构包括第一连续注入结构，其被配置为利用在所述P型阱区的一部分内连续延伸的P型注入来注入所述N型阱区，并且其中所述第一连续注入结构被配置为在所述P型阱区的边界内包封所述单元的第一有源区。

17.根据权利要求14所述的单元，其中所述第二注入结构包括第二连续注入结构，其被配置为利用在所述N型阱区的一部分内连续延伸的N型注入来注入所述P型阱区，并且其中所述第二连续注入结构被配置为在所述N型阱区的边界内包封所述单元的第二有源区。

18.根据权利要求14所述的单元，其中所述第一注入结构经由第一金属线和通孔电耦合到具有负极性的地电位电压，并且其中所述第二注入结构经由第二金属线和通孔电耦合到具有正极性的源极电位电压。

19.一种制造集成电路的单元的方法，包括：

指定用于第一类型注入的单元的第一区域；

指定用于与第一类型注入不同的第二类型注入的单元的第二区域；

使用第一注入结构以利用第一类型注入来注入所述单元的第一区域，使得所述第一区域在所述第二区域的一部分内延伸；以及

使用第二注入结构以利用第二类型注入来注入所述单元的第二区域，使得所述第二区域在所述第一区域的一部分内延伸。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述单元包括具有由第一和第二区域限定的单元边界的单元区域，并且其中所述单元边界限定所述单元的单元宽度和单元高度。