[发明专利]有机光电器件、图像传感器和电子装置有效
| 申请号： | 201710037428.7 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN107403867B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 卢卓均;朴敬培;佐藤竜一;陈勇完;许哲准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子装置。有机光电器件可包括在第一电极和第二电极之间的光电转换层以及在所述光电转换层上的缓冲层。光电转换层可在第一电极和第二电极之间，且缓冲层可在第一电极和光电转换层之间。光电转换层可至少包括配置成提供p‑n结的第一光吸收材料和第二光吸收材料。缓冲层可包括第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料。非吸收材料可具有约5.4eV‑约5.8eV的HOMO能级。非吸收材料可具有大于或等于约2.8eV的能带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 光电 器件 图像传感器 电子 装置 | ||
【主权项】：
有机光电器件，包括：第一电极；在所述第一电极上的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层包括p‑n结，所述p‑n结包括第一光吸收材料和第二光吸收材料；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间的缓冲层，所述缓冲层包括所述第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料，所述非吸收材料具有5.4eV‑5.8eV的最高占据分子轨道HOMO能级。
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